DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM (de las siglas en inglés, Double Data Rate type three Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM usadas ya desde principios de 2010.

Las memorias DDR3 SDRAM permite usar integrados de 1 GB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB, tienen 240 contactos, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la posibilidad de hacer transferencias de datos más rápidamente, y con esto obtener velocidades de transferencia y de bus más altas que las versiones DDR2. Proporcionando significativas mejoras de rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que conlleva una disminución global del consumo eléctrico. La principal desventaja es que no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta.

En 2005, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MB a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,6 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.

En 2008, Kingston Technology lanzó los primeros módulos de memoria a 2GB de la industria, para plataformas Intel Core i7.

Tras una larga transición , propiciada también por la integración de controladores de memoria en los procesadores, DDR2 se ha quedado solo para equipos antiguos, mientras que DDR3 ha ido extendiéndose tanto en portátiles como en equipos de sobremesa y netbooks.